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AEC-Q100对IC的可靠性测试可细分为加速环境应力可靠性、加速寿命模拟可靠性、封装可靠性、晶圆制程可靠性、电学参数验证、缺陷筛查、包装完整性试验，且需要根据器件所能承受的温度等级选择测试条件。需要注意的是，第三方难以独立完成AEC-Q100的验证，需要晶圆供应商、封测厂配合完成，这更加考验对认证试验的整体把控能力。广电计量将根据客户的要求，依据标准对客户的IC进行评估，出具合理的认证方案，从而助力IC的可靠性认证。
如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果，那么将允许供应商声称他们的零件通过了AEC Q100认证。供应商可以与客户协商，可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些，但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了AEC Q100认证。
芯片可靠性验证(RA)：
芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；
高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；
温度循环试验(TC),JESD22-A104；
温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；
高加速应力试验(HTST/HAST),JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；
芯片静电测试(ESD)：
人体放电模式测试(HBM),JS001；
元器件充放电模式测试(CDM),JS002；
闩锁测试(LU),JESD78；
芯片IC失效分析(FA)：
光学检查(VI/OM)；
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；
Micro-probe;
聚焦离子束微观分析(FIB)
弹坑试验(cratering)
芯片开封(decap)
芯片去层(delayer)
晶格缺陷试验(化学法)
PN结染色/码染色试验
推拉力测试(WBP/WBS)
红墨水试验
PCBA切片分析(X-section)
芯片材料分析：
高分辨TEM(形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；
SEM(形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)
Raman(Raman光谱)
AFM(微观表面形貌分析、台阶测量)
AEC-Q100试验后芯片失效分析项目：
形貌分析技术：体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。
成分检测技术：X射线能谱EDX、俄歇能谱AES、二次离子质谱SIMS、光谱、色谱、质谱
电分析技术：I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。
开封制样技术：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。
缺陷定位技术：液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH。
AECQ100认证测试周期：
3-4个月，提供全面的认证计划、测试、报告等服务。
测试地点：
广电计量广州总部、广电计量上海试验室。
广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。
AECQ100技术交流及业务咨询：GRGT张工
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